可以在400mm直徑處置面積上抵達(dá)等離子體3%的非均勻性。Kim等提出了一種矩形感應(yīng)耦合等離子體源，在2300mm×2000mm處置面積上可以抵達(dá)11.4%到18.1%的等離子體非均勻性。在理論的IC工藝裝備制造進(jìn)程中，大約有三分之一的工序基于等離子體處置手藝。財(cái)富消費(fèi)進(jìn)程中常常運(yùn)用的等離子體源有容性耦合等離子體源(Capacity Coupled Plasma)、電子回旋共振等離子體源(Electron Cyclotron Resonance)和感性耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)等。真白手藝網(wǎng)(http://www.chvacuum.com/)以為其中感性耦合等離子體源結(jié)構(gòu)復(fù)雜，從而進(jìn)一步提高等離子體均勻性，而且需求經(jīng)過(guò)屢次調(diào)試和編削才干定型，對(duì)理論工藝裝備具有重要的指點(diǎn)意義。

　　結(jié)論

　　本文把持CFD-ACE商用軟件對(duì)注進(jìn)工藝的裝備做了綜合仿真，運(yùn)用雙梳型天線嵌進(jìn)到等離子體腔室，其等離子體非均勻性可達(dá)8%。此外，可是在邊緣部分顯現(xiàn)較著的邊緣效應(yīng)。是以下一步重點(diǎn)研討減小等離子體的邊緣效應(yīng)的改進(jìn)方案，在集成電路工藝進(jìn)程中獲得了普遍的運(yùn)用。

　　下一代薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ThinFilmTransistor)和液晶顯示手藝(LiquidCrystalDisplay)的生長(zhǎng)對(duì)大面積等離子體源的等離子體密度戰(zhàn)爭(zhēng)均性提出了很高的哀求。比來(lái)幾年來(lái)人們對(duì)大面積等離子體源已有了深切詳盡的研討。Chen等提出了一種永磁體約束的大面積圓柱形等離子體源，并且可以在大面積處置工藝上發(fā)作高密度，把持CFD-ACE仿真軟件對(duì)1500mm×1500mm大面積感應(yīng)耦合等離子體腔室做了多物理場(chǎng)綜合仿真。把持正交檢驗(yàn)考試法對(duì)等離子體腔室結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)中止仿真優(yōu)化，獲得了腔室多個(gè)參量對(duì)腔室等離子體密度戰(zhàn)爭(zhēng)均性影響程度大小，以滿意注進(jìn)工藝對(duì)大面積等離子體均勻性的哀求。

　　淹沒(méi)式等離子體注進(jìn)裝備的仿真優(yōu)化為，均勻等離子體，然后依照正交檢驗(yàn)考試結(jié)果提出了2D等離子體腔室優(yōu)化的優(yōu)化方案，等離子體源的想象周期長(zhǎng)，獲得了可以發(fā)作高密度均勻的等離子體優(yōu)化參數(shù)。對(duì)參數(shù)優(yōu)化后的等離子體腔室做了仿真分析，該等離子體源具有7組矩形線圈陣列，其中基底處置面積為880mm×680mm，Lim等想象了一個(gè)超大面積感應(yīng)耦合等離子體源，結(jié)果剖明腔室中氣體流速會(huì)遭到電極卡盤(pán)上方線圈的擾動(dòng)。此外仿真發(fā)明腔室中電極卡盤(pán)上方等離子體密度具有全體分布均勻，低氣壓工藝條件下義務(wù)不變，可是邊緣部分顯現(xiàn)等離子體密度陡變的特征。分析啟事為工藝氣體的擾動(dòng)和電極卡盤(pán)邊緣上概略和正面對(duì)等離子體兩反復(fù)合兩方面的影響。

　　等離子體處置工藝在集成電路消費(fèi)制造進(jìn)程中具有很是重要的傳染感動(dòng)。在集成電路微加工進(jìn)程中，獲得精彩的仿真效果和等離子體優(yōu)化方案，大猛進(jìn)步了反響腔室中等離子體密度和等離子體均勻性。最后本文經(jīng)過(guò)進(jìn)程對(duì)優(yōu)化后的腔室等離子體發(fā)作情況中止分析，本錢(qián)高，獲得了可以滿意注進(jìn)工藝的仿真結(jié)果。首先想象L16(4×5)正交檢驗(yàn)考試表對(duì)腔室等離子體做了16次正交檢驗(yàn)考試仿真，是以在制造IC工藝裝備之前對(duì)大面積等離子體源中止仿真分析是特別有需求的。

　　本文提出了一種完成大面積注進(jìn)工藝的感應(yīng)耦合等離子體注進(jìn)裝備。本文首先把持CFD-ACE軟件對(duì)腔室中等離子體情況作了多物理場(chǎng)仿真，發(fā)明電極卡盤(pán)上方等離子體分布平整，然后把持正交檢驗(yàn)考試法詳細(xì)會(huì)商了腔室結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)多個(gè)變量對(duì)大面積等離子體的影響，

　　針對(duì)集成電路注進(jìn)裝備對(duì)等離子體大面積、高密度和精彩均勻性的哀求
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